发光二极管正负极（发光二极管正负极判断）

4.如果用眼睛看不出来，也可以用万用表。将旋钮转到开-关位置，将白色和深黑色探针分别连接到两个引脚。如果有读数，白色探针的一端为正；如果读数为“1”，深黑色探针的一端为正极。

如何区分二极管的正极和负极？

1.单独来说，一般来说，二极管黑色端标记的表标记的水平是负电极。

2.如果用LED来判断，长腿为正，短腿为负。如果都一样长，那么大的是负的，小的是正的。

3.晶体二极管PN结的导通偏置为P-N，即P-N导通(P正，N负)。正PN结导致高达的通过偏置。

单独来说，在印刷电路板中，通过在PCB上丝网印刷来识别二极管的正负电极的方法如下:

1.缺口端为负极；

2.杆的一端为负极；

3.白色平行条的一端为负极；

4.三角形箭头的偏置端为负极；

5.拉出二极管屏幕上印的小圆圈一端为负，大圆圈为正。

6.拉出式LED的方孔是之一条腿，也是阳极。

这就是如何区分二极管的阳极和阴极。我想处理你的二极管如何区分正负极的结果。

二极管极性判断方法:1。灯管的一侧有一个色环直接拉出二极管，色环的一段代表负极。

2.LED可以根据引脚的长度来识别，长引脚为正，短引脚为负。3.具有相同引脚长度的led可以通过工艺之外的金属片的尺寸来识别。金属片的较大一侧是负极，较小一侧是正极。4.如果表面无助于识别二极管的正负特性，可以用万用表停止检测。将万用表旁边的旋钮转到“开/关”位置，根据读数确定引脚位置一侧的正负极。当读数不是“1”时，红笔为正；读数为“1”时，深黑色笔为正。

二极管有正极和负极。二极管的特性:1。向前

当施加DC电压时，在正特性开始时，DC电压太小，但不能克服PN结中电场的阻挡作用。正电流几乎为零，称为死亡区。这种不能使二极管导通的DC电压称为死区电压。当DC电压高于死区电压时，PN结内的电场被克服，二极管导通，电流随着电压的降低而迅速上升。在非正常应用的电流标度中，二极管导通时的端电压几乎是恒定的，称为二极管的DC电压。当二极管两端的DC电压越过一定值时，外电场迅速减弱，特征电流迅速增大，二极管导通。称为阈值电压或阈电压，硅管约为0.5V，锗管约为0.1V。硅二极管的正导通压降约为0.6~0.8V，锗二极管的正导通压降约为0.2 ~ 0.3V2，当施加的反向电压没有跨越一定的尺度时，通过工艺二极管的电流就是多数载流子漂移形成的反向电流。因为反向电流非常小，二极管被关断。这种反向电流也称为反向饱和电流或泄漏电流。二极管的反向饱和电流受温度影响很大。单个来说，硅管的反向电流比锗管小很多。小功率硅管的反向饱和电流在nA量级，小功率锗管的反向饱和电流在μ A量级，温度降低，半导体受热激发，多数载流子数增加，反向饱和电流增加。(1)当击穿电压越过一定值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。导致电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。当电击生效时，二极管获得单一导电性。如果二极管没有因为电击穿而过热，那么单通道导通可能不会永远被破坏，去掉外加电压后其功能仍然可以调节，否则二极管就会被破坏。因此，在应用中应防止二极管施加大的反向电压。二极管是单导通的二端器件，分为电子二极管和晶体二极管。由于灯丝的热量消耗，电子二极管的效率比晶体二极管低，所以刚开始很少，晶体二极管的比力很少，经常使用。由于其导电性单一，几乎所有的电子电路都使用半导体二极管，半导体二极管在许多电路中起着重要的作用。它是最早的半导体器件之一，应用广泛。二极管正向压降:硅二极管(不发光型)正向压降0.7V，锗管正向压降0.3V，LED正向压降随发光颜色不同而不同。有三种重要的颜色。详细的压降参考值如下:白光led压降2.0-2.2V，黄光LED压降1.8—2.0V，绿光LED压降3.0-3.2V，异常照明额外电流约20mA。二极管的电压和电流不是线性的，所以当并联不同的二极管时，需要连接合适的电阻。(2)特性曲线与PN结相似，二极管为单电导。硅二极管典型伏安特性曲线(图)。二极管配DC电压时，电压值小时电流极小；当电压越过0.6V时，电流开始呈指数增长，这就是平日里二极管的导通电压。当电压达到0.7V左右时，二极管处于完全导通状态。这个电压在平日里被称为二极管的导通电压，并被马克·UD所暗示。对于锗二极管，开启电压为0.2V，开启电压UD约为0.3V，二极管加反向电压时，电压值很小，电流值为反向饱和电流is。当反向电压越过一定值时，电流开始急剧增加，称为反向击穿。这个电压被称为二极管的反向击穿电压，由标签UBR表示。不同二极管的击穿电压UBR值相差很大，从几十伏到几千伏不等。3.反向击穿(1)齐纳击穿反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿。在高掺杂浓度的前提下，由于势垒区宽度小，反向电压高，破坏了势垒区的共价键结构，使价电子离开共价键，出现电子-空空空穴对，导致电流急剧增加。这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度低并且势垒区的宽度宽，则不容易发生齐纳击穿。(2)雪崩击穿另一种击穿是雪崩击穿。当反向电压增大到较高值时，施加的电场使电子漂移速率变慢，然后与共价键中的价电子发生碰撞，将价电子从共价键中敲出来，产生新的电子-空空空穴对。新的电子-空空空穴被电场减速，然后其他价电子被敲出。载流子增长雪崩导致电流急剧增加。这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿，如果其电流不受限制，都可能对PN结造成永久性损伤。

万用表在二极管位置时，正探针接二极管的阳极，负探针接阴极，所以是导通的。电压多为0.7V，但反接不导电。另外，小二极管在阴极有一个突出的色环，如白色、深黑色、蓝色等。

1.二极管的特点是正向导通，反向截止。发光二极管的两端分开并与电池的正极和负极相连，

说明接电池阳极的灯是LED阳极，接电池阳极的灯是LED阴极。

2.2中的偏流。DC电路是从高电位点到低电位点。简而言之，它通过处理电路从电池的正极流到电池的负极。

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