不会的，你改的只是内存的时序，不会影响到内存的颗粒的。这个操作其实没有更改内存的任何物理性质，只是在逻辑方面修改一下，只有在修改电压的情况下才有可能损坏内存的颗粒。同时，修改时序如果与系统的其他硬件产生兼容性问题的情况就会造成死机或者无法开机的情况的。
CL(CAS Latency)：为CAS的延迟时间，这是纵向地址脉冲的反应时间，也是在一定频率下衡量支持不同规范的内存的重要标志之一。
内存负责向CPU提供运算所需的原始数据，而目前CPU运行速度超过内存数据传输速度很多，因此很多情况下CPU都需要等待内存提供数据，这就是常说的“CPU等待时间。内存传输速度越慢，CPU等待时间就会越长，系统整体性能受到的影响就越大。因此，快速的内存是有效提升CPU效率和整机性能的关键之一。
在实际工作时，无论什么类型的内存，在数据被传输之前，传送方必须花费一定时间去等待传输请求的响应，通俗点说就是传输前传输双方必须要进行必要的通信，而这种就会造成传输的一定延迟时间。CL设置一定程度上反映出了该内存在CPU接到读取内存数据的指令后，到正式开始读取数据所需的等待时间。不难看出同频率的内存，CL设置低的更具有速度优势。
内存延迟时序CL-tRCD-tRP-tRAS的设置
首先，需要在BIOS中打开手动设置，在BIOS设置中找到DRAM Timing Selectable，BIOS设置中可能出现的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，将其值设为Manual(视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable)，如果要调整内存时序，应该先打开手动设置，之后会自动出现详细的时序参数列表：
Command Per Clock(CPC)
可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。
Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择(通过DIMM上CS片选信号进行)，然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。
显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。目前的大部分主板都会自动设置这个参数。
该参数的默认值为Disable(2T)，如果玩家的内存质量很好，则可以将其设置为Enable(1T)。
CAS Latency Control(tCL)
可选的设置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。
一般我们在查阅内存的时序参数时，如3-4-4-8这一类的数字序列，上述数字序列分别对应的参数是CL-tRCD-tRP-tRAS。这个3就是第1个参数，即CL参数。
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