Intel 7依然是以FinFET 技术的最佳化为主，相较于目前最新的10nm SuperFIN，每瓦效能约可提升10~15%。Intel 7 将会用在今年底的Alder Lake 笔电处理器与明年初的Sapphire Rapids 资料中心处理器上。
Intel 4 则是使用极紫外光（EUV）微影技术来进行微缩，预计每瓦效能可以再提升20%，并将在2022 年下半年开始量产，2023 年开始出货。率先采用Intel 4 的产品预计为再次世代的Meteor Lake 消费型处理器与Granite Rapids 资料中心处理器。而Intel 3 则是FinFET 的最后一次登场，运用FinFET 与EUV 的再进一步最佳化，实现相较于Intel 4 再18% 的每瓦效能成长。Intel 3 预计2023 下半年开始生产。
因此Intel 将在节点命名中舍弃直接使用奈米数，而是将节点「概念化」，将即将上市的10nm Enhanced Superfin 改名为「Intel 7」，并且随后推出「Intel 4」、「Intel 3」等，依此类推。
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